最热门JEDEC标准：中文描述

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DDR4 SDRAM 标准, JESD79-4, 2012年9月

本文档定义了DDR4 SDRAM规范，包括特性、功能、直流和交流特征、封装和球删/信号分配。该标准的目的是通过16 GB来定义符合JEDEC 2 GB的X4，X8，X16和DDR4 SDRAM最低限度要求的器件。该标准基于DDR3标准（JESD79-3）和DDR和DDR2标准而制定(JESD79, JESD79-2).

DDR3 SDRAM标准, JESD79-3F, 2012年7月

本文档定义了DDR3 SDRAM标准，包括特性、功能、直流和交流特征、封装和球删/信号分配。该标准的目的是通过8千兆定义最低限度符合JEDEC 512 MB X4、X8和x16 的DDR3 SDRAM要求的器件。这份文件是基于DDR2标准（JESD79-2）和DDR标准（JESD79）的某些方面产生。DDR3 SDRAM操作改变的各个方面进行了审议并经委员会投票批准）。这些投票的结果被纳入到准备这个标准（JESD79-3）过程中，修改整个部分，并纳入功能描述和操作。项目1627.14

嵌入式多媒体卡 (e•MMC), 电器 标准 (5.1), JESD84-B51, 2015年2月

本文档提供e•MMC电气接口、环境和使用的全面定义。它还提供设计指南并定义旨在减少设计开销的微距功能和算法工具箱。该标准的目的是定义e•MMC电气接口、环境和操作。它提供了系统设计的指导方针。

本文档取代所有以前的版本，这里列举的所替换版本链接仅供参考：JESD84-B50.1，2014年7月（JESD84-B50的编辑修订）; JESD84-B50，2013年9月（JESD84-B451的修订版）; JESD84-B451，2012年6月（修订版JESD84-B45，2011年6月）

专利：JEDEC的成员可在会员区获得保障/披露表的完整列表。非会员可向JEDEC办公室要求获得个人保障/披露表。

非密封表面贴装器件湿气/回流敏感性分类IPC / JEDEC联合标准, J-STD-020E, 2014年12月

该文件确定了对湿气引起的应力敏感非气密固态表面安装器件（SMD）的分类级别。它用来确定应使用什么类别等级为初始可靠性进行资格验证。一旦确定，所述的SMD可适当封装，储存和处理，以避免在随后的装配、回流焊接附着和/或修理等操作过程中导致热和机械损伤。本次修订包括在无铅组装时更高温度下进行加工的部件。

温度循环, JESD22-A104E, 2014年10月

本标准定义了确定能够承受极端温度循环的固态器件性能方法。本标准适用于单、双及三腔温度循环，包括部件和焊接互连测试。应当指出，这一标准不包括或适用加热冲击室。进行此项测试以确定元件和焊料互连承受由交替高和低极端温度引起的机械应力的能力。这些机械应力可导致在电气和/或物理特性的永久性变化。

低功率双数据速率存储器4 (LPDDR4), JESD209-4A, Nov 2015

本文档定义了LPDDR4标准，包括特性、功能、直流和交流特征，封装和球删/信号分配。本规范的目的是通过32 GB来定义符合JEDEC 4GB x16 x2通道 SDRAM器件的最低限度要求。 该文档基于下列标准创建：DDR2（JESD79-2）、DDR3（JESD79-3）、DDR4（JESD79-4）、LPDDR（JESD209）、LPDDR2（JESD209-2）和LPDDR3（JESD209-3）。委员会项目：1824.42A

温度、偏差和运行寿命1824.42A, JESD22-A108D, 2010年11月

本试验用于确定随时间变化的偏置条件和温度对固态器件的影响。它模拟一个加速方式的设备的运行条件，并且主要用于设备认证和可靠性监测。使用短持续时间，普遍称为老化高温偏压寿命的一种方法，也可以用于筛选与早期失效相关的故障。老化方法的详细使用和应用非本文件所包括范围。

静电敏感设备的符号和标签, JESD471, 1980年2月

状态：1988年10月、1996年9月、1996年11月、2009年9月重新确认

这个标准将对任何从事处理半导体器件和集成电路由静电势导致永久性损伤问题的人士有用。该标准确定了一个符号和标签，将提醒可能对设备造成静电损害的人士注意。标在包装最低实用层的标签包含词句：“注意 - 遵守静电敏感设备处理注意事项“。包含在该标签的符号可以使用于器件本身，显示出三角形内由一个横杠通过的一只手。前身为EIA-471。

潮湿/回流敏感表面贴装器件的搬运、包装、运输和使用IPC/JEDEC联合标准, J-STD-033C, 2012年1月

本文档为SMD制造商和用户提供处理、包装、运输和使用湿度/回流焊敏感性SMD的标准化方法。现在更新以支持可能需要在较高的温度，如无铅工艺待处理的组件。这些方法有助于避免从吸湿和暴露损害焊接，可能导致成品率和可靠性下降的回流温度。 IPC / JEDEC J-STD-033C有助于实现安全无损伤的回流与干包装过程，使用密封干燥袋时，从密封日起提供12个月的最低保质期。

注 - 图3-2中，湿度指示卡（HIC）已编辑性修改，因为最初发布于2012年1月，如果你2013年2月8日之前下载这个文件（删除了“首次使用”从标贴），请重新下载本修订版。

通用闪存（UFS），2.1版本, JESD220C, 2016年3月

该标准的目的是定义UFS电接口和UFS存储器。该标准定义了一个独特的UFS功能集，包括·e·MMC规范中的一个子集的功能集。该标准还通过MIPI（M-PHY和UniPro规范）和INCITS T10（SBC，SPC和SAM标准）等组织引用其他几个标准规范。有关如何访问和下载与UFS相关的MIPI规范，请访问：HTTP：//public.mipi.org/mipi-jedec/workspace/DocumentRequestWelcome。项目133.00A

专利：JEDEC的成员可在会员区获得完全保障/披露表格列表。非会员可从JEDEC办公室要求获得个人保障/披露表格。

静电放电敏感性试验 - 人体模型（HBM） - 组件级联合JEDEC/ ESDA标准, JS-001-2014, 2014年9月

这个标准确定对组件和微电路进行测试、评估和分类的程序。组件和微电路被置于特定人体模型（HBM）环境下，进行静电放电（ESD）实验，根据它们对损坏或衰减的敏感性（敏感度）进行分类。这个标准的目的（目标）是建立一个测试方法将模拟HBM故障，并提供可靠与可重复的HBM ESD测试结果，无论测试仪器及其组件类型。可重复数据将促使准确分类和HBM ESD敏感度水平的比较。注：数据与此前ANSI / ESD STM5.1-2007或

半导体器件失效机理与模型, JEP122G, 2011年10月

该文件提供了故障机制及其相关激活能量或加速因子的列表，可使用于系统故障率估计，其前提条件是在唯一可用的数据是基于在加速应力试验条件下进行的试验。所使用的是失效率加总的方法。该文件还提供了可靠性建模参数选择方面的指导，即函数形式、表观热活化能量值和压力敏感度。压力指电源电压、基底底电流、电流密度、栅极电压、相对湿度、温度循环范围、移动离子浓度等

JESD79-3 - 1.35 V DDR3L-800、DDR3L-1066、DDR3L-1333、DDR3L-1600、和DDR3L-1866标准附件1, JESD79-3-1A.01, 2013年5月

该JESD79-3文件定义DDR3L SDRAM规范，包括特性、功能、直流和交流特征、封装和球栅/信号分配等。本标准所指出的范围除外。该标准的目的是定义DDR3L规范，取代JESD79-3标准中的DDR3规范。DDR3-800、1066、DDR3-1333、DDR3-1600、DDR3L-1866的标题在JESD79-3标准中针对DDR3L定义使用时都应被分别解释为DDR3L-800、DDR3L-1066、DDR3L-1333、DDR3L-1600、和DDR3L-1866。特别说明除外。

高加速温度和湿度应力测试（HAST), JESD22-A110E, 2015年7月

该测试方法的目的是评价在潮湿环境下非气密封装的固态器件的可靠性。它采用的温度、湿度、和偏置的严酷条件，加速水分渗透外部保护材料（密封剂或密封）或沿着外部保护材料和穿过它的金属导线之间的界面。

ESDA/ JEDEC联合标准：静电放电敏感度测试 - 带电器件模式（CDM） -器件级, JS002-2014, 2015年4月

该标准规定对器件和微电路进行测试、评估和分类的程序。根据它们在特定电场感应带电器件模型（CDM）的静电放电条件下（ESD）的易损性（敏感度）和易衰减性进行分类。所有封装半导体器件、薄膜电路、表面声波（SAW）器件、光电器件、混合集成电路（阀组）、和包含任何这些器件的多芯片模块（MCM）皆根据该标准测试。该测试方法结合JEDEC JESD22-C101和ANSI / ESD S5.3.1的主要特点。